導波路型光デバイス及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-004093
公開番号（公開出願番号）：特開2004-219521
出願日： 2003年01月10日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】EO効果を有した強誘電体材料を用いて作製した導波路型光デバイスに関し、導波路と電極との界面を制御することによって、DCドリフトの少ない薄膜の導波路型光デバイス及びその製造方法を提供することである。【解決手段】基板表面に、少なくとも化学式ABO3で表されるペロブスカイト構造を有する強誘電体材料からなる光導波路、及び電極を形成してなる導波路型光デバイスであって、前記光導波路の表層部分に、化学式A1+RBO3+Sで表される組成の強誘電体材料が存在し、前記化学式におけるR、Sが、R>0.6かつS>0.2の範囲であることを特徴とする導波路型光デバイスである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板表面に、少なくとも化学式ABO3で表されるペロブスカイト構造を有する強誘電体材料からなる光導波路、及び電極を形成してなる導波路型光デバイスであって、前記光導波路の表層部分に、化学式A1+RBO3+Sで表される組成の強誘電体材料が存在し、前記化学式におけるR、Sが、R>0.6かつS>0.2の範囲であることを特徴とする導波路型光デバイス。

IPC (2件)：

G02F1/03 , G02F1/035

FI (2件)：

G02F1/03 501 , G02F1/035

Fターム (8件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079DA03 , 2H079EA05 , 2H079EB04 , 2H079HA23 , 2H079JA09

引用特許：

審査官引用 (9件)

高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302703 出願人：三菱電機株式会社
PZT膜のドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238538 出願人：株式会社プラズマシステム
積層薄膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-106776 出願人：ティーディーケイ株式会社

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