特許
J-GLOBAL ID：200903034515402273

強誘電体キャパシタの形成方法、強誘電体キャパシタおよび電子デバイス

発明者：
中山 雅夫

中山 雅夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (4件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也 ,  竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-135998
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313833
出願日： 2005年05月09日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：
【課題】 キャパシタ特性の良好な強誘電体キャパシタを提供することにある。【解決手段】 本発明の強誘電体キャパシタの形成方法は、 (a)基体10の上方に第1導電層20aを形成すること、 (b)前記第1導電層20a上に、酸素を有する強誘電体物質を含む強誘電体層30aを形成すること、 (c)前記強誘電体層30a上に第2導電層40aを形成すること、 (d)前記第2導電層40a上にマスクM1を形成すること、 (e)前記マスクM1を用いて、少なくとも前記第2導電層40aをエッチングすることにより、前記第1導電層20、前記強誘電体層30、及び該第2導電層40からなるキャパシタを形成すること、 (f)前記(e)の工程の後、前記エッチングにより露出した前記強誘電体層30の露出面にフッ素を付着させること、 (g)前記キャパシタに熱処理を施すこと、を含む。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
(a)基体の上方に第1導電層を形成すること、 (b)前記第1導電層上に、酸素を有する強誘電体物質を含む強誘電体層を形成すること、 (c)前記強誘電体層上に第2導電層を形成すること、 (d)前記第2導電層上にマスクを形成すること、 (e)前記マスクを用いて、少なくとも前記第2導電層をエッチングすることにより、前記第1導電層、前記強誘電体層、及び該第2導電層からなるキャパシタを形成すること、 (f)前記(e)の工程の後、前記エッチングにより露出した前記強誘電体層の露出面にフッ素を付着させること、 (g)前記キャパシタに熱処理を施すこと、を含む、強誘電体キャパシタの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22
FI (6件)：
H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z
Fターム (11件)：
5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083FR10 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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