特許
J-GLOBAL ID：200903065571300591

SiC単結晶の製造方法

発明者：
新谷 良智

新谷 良智 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-126039
公開番号（公開出願番号）：特開2009-274894
出願日： 2008年05月13日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】溶液法により結晶性の高いSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Si、C、CrおよびNiを含むSi-Cr-Ni-C融液またはSi-Cr-C融液により、種結晶の成長面をSi面としてSiC結晶を成長させる。融液中のNiとCrとの割合(原子比)(Ni/Cr)は0.2以下である。また、融液にSi、Cr、NiおよびC以外の元素であって希土類元素、遷移金属元素およびアルカリ土類金属元素のうちから選ばれるいずれか1種の元素を含んでおり、好ましくはCeである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si、C、CrおよびNiを含むSi-Cr-Ni-C融液により、種結晶の成長面をSi面としてSiC結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
Fターム (12件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EC08 ,  4G077ED02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA79
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM