特許
J-GLOBAL ID：201403015078558442
磁性薄膜、その製造方法、磁性薄膜を用いた、高周波発振素子、磁気ヘッド、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (17件)：
蔵田 昌俊
, 福原 淑弘
, 中村 誠
, 野河 信久
, 白根 俊郎
, 峰 隆司
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 赤穂 隆雄
, 井上 正
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-252623
公開番号（公開出願番号）：特開2014-103172
出願日： 2012年11月16日
公開日（公表日）： 2014年06月05日
要約：
【課題】20GHz以上の高い周波数で発振する高周波発振子材料や、垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層材料として好適な、強い負の異方性を有する磁性薄膜を実現する。【解決手段】少なくとも非磁性基板の上に、1層以上の金属もしくは金属化合物からなるシード層と、直情の層の配向性を制御するルテニウム下地層と、膜面垂直法線方向に負の異方性を有するCoとIrの2種類を主成分とする磁性層を有する磁性薄膜において、前期磁性層におけるIrの添加元素濃度が10at%以上45at%以下であることを特徴とする-6×106erg/cm3以下の負の異方性を有する磁性薄膜。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
非磁性基板、
該非磁性基板上に設けられたルテニウム下地層、及び
該ルテニウム下地層上に接触して形成され、膜面垂直法線方向に-6×106erg/cm3ないし-1.2×107erg/cm3(-6×108nJ/cm3ないし-1.2×109nJ/cm3)の負の異方性を有し、Co1-xIrx(但し、x=10at%ないし45at%)を主成分とする磁性層を具備する磁性薄膜。
IPC (11件)：
H01F 10/32
, G11B 5/31
, G11B 5/02
, G11B 5/667
, G11B 5/738
, G11B 5/64
, G11B 5/84
, H01F 10/16
, H01L 29/82
, H01L 43/08
, H01L 43/10
H01F10/32
, G11B5/31 A
, G11B5/02 R
, G11B5/667
, G11B5/738
, G11B5/64
, G11B5/84 Z
, H01F10/16
, H01L29/82 Z
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
5D006BB02
, 5D006CA01
, 5D006CA03
, 5D006CA05
, 5D006CA06
, 5D006DA08
, 5D033AA05
, 5D033BA71
, 5D033CA00
, 5D091AA08
, 5D091CC11
, 5D091CC26
, 5D112AA03
, 5D112AA04
, 5D112AA05
, 5D112AA24
, 5D112BB05
, 5D112BD01
, 5D112GB01
, 5E049AA04
, 5E049BA08
, 5E049BA12
, 5E049CB01
, 5E049DB02
, 5E049EB06
, 5E049GC01
, 5E049JC01
, 5F092AB02
, 5F092AB10
, 5F092AC08
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092BB05
, 5F092BB10
, 5F092BB22
, 5F092BB31
, 5F092BB43
, 5F092BB55
, 5F092BC12
