特許
J-GLOBAL ID：201403017026685279

半導体装置、及び酸化物半導体層の作製方法

発明者：
郷戸 宏充

郷戸 宏充 について

, 
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-009430
公開番号（公開出願番号）：特開2014-123751
出願日： 2014年01月22日
公開日（公表日）： 2014年07月03日
要約：
【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、しきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。また、オフ電流を低減することを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するように薄膜トランジスタを形成することによって、薄膜トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。また、オフ電流を低減することもできる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極層と、 ゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層を介して、前記ゲート電極層と重なる領域を有する第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層上の、第2の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層、又は前記第2の酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極層と、 前記第1の酸化物半導体層、又は前記第2の酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極層とを有し、 前記第2の酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、亜鉛、及びシリコンを有し、 前記第1の酸化物半導体層は、ナノクリスタル構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (7件)：
H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618A ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (99件)：
2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB56 ,  2H192CB71 ,  2H192DA12 ,  2H192FA44 ,  2H192FA65 ,  2H192FA73 ,  2H192FB15 ,  2H192HA44 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD06 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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