特許
J-GLOBAL ID：201403017133923387

半導体発光組立体

発明者：
吉永 弘幸

吉永 弘幸 について

, 
村田 道夫

村田 道夫 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-108098
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229744
出願日： 2013年05月22日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：
【課題】サブマウントにフェースダウン実装された量子カスケード半導体レーザを含む半導体発光組立体を提供する。【解決手段】サブマウント15の搭載面15aは、第1の方向(X軸の方向)に順に配列される第1エリア15b、第2エリア15c及び第3エリア15dを含む。第1エリア15b及び第3エリア15dは、半田材37を介して量子カスケード半導体レーザ13の第1部分13a及び第5部分13eを支持する。半田材37はサブマウント15の第1エリア15b〜第3エリア15dにわたって設けられている。量子カスケード半導体レーザ13及びサブマウント15は第3の方向(Z軸の方向)に配列されて、量子カスケード半導体レーザ13はサブマウント15に搭載される。量子カスケード半導体レーザ13の第3部分13cはサブマウント15の第2エリア15cに対して間隔GAPを置いている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体発光組立体であって、 第1の方向に順に配列された第1部分、第2部分、第3部分、第4部分及び第5部分を含む量子カスケード半導体レーザと、 前記第1の方向に順に配列された第1エリア、第2エリア及び第3エリアを含む搭載面を有しており、前記量子カスケード半導体レーザを搭載するサブマウントと、 を備え、 前記サブマウントの材料は半導体と異なり、 前記サブマウントの前記第1エリア及び前記第3エリアは、前記量子カスケード半導体レーザの前記第1部分及び前記第5部分を支持しており、 前記量子カスケード半導体レーザは、第1導電型半導体からなる主面を有する基板と、前記基板の前記主面上に設けられた半導体積層とを含み、 前記量子カスケード半導体レーザの前記第3部分は、前記第1の方向に交差する第2方向に延在する量子カスケードメサを含み、 前記量子カスケードメサは、前記基板の前記主面上に順に設けられた発光層及び第1導電型半導体層を含み、 前記量子カスケード半導体レーザの前記第2部分及び前記第4部分の各々は、前記第2方向に延在するトレンチ溝を含み、 前記量子カスケード半導体レーザの前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、前記第4部分及び前記第5部分は電極を含み、前記電極は前記量子カスケードメサの上面に接触を成し、 前記量子カスケード半導体レーザの前記第3部分の前記電極の表面は、前記サブマウントの前記第2エリアに対して間隔を置いている、半導体発光組立体。
IPC (2件)：
H01S 5/022 ,  H01S 5/227
FI (2件)：
H01S5/022 ,  H01S5/227
Fターム (16件)：
5F173AA27 ,  5F173AA47 ,  5F173AH14 ,  5F173AK08 ,  5F173AK17 ,  5F173AK21 ,  5F173AP33 ,  5F173AR72 ,  5F173AR74 ,  5F173MC12 ,  5F173MC13 ,  5F173MD04 ,  5F173MD12 ,  5F173MD18 ,  5F173MD63 ,  5F173MD84
引用特許：
審査官引用 (4件)
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