特許
J-GLOBAL ID：201103065134066154
光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-264062
公開番号（公開出願番号）：特開2011-108932
出願日： 2009年11月19日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：
【課題】ジャンクションダウン方式でサブマウントに接合されるレーザダイオードにおいて、通電性および放熱性を損なわずに、素子の偏光角特性を安定させる。【解決手段】バンク部31上に厚さ1.5μm以上のAuからなるバンク上パターン15を形成することにより、サブマウント21上のソルダ材20と、レーザチップ32のリッジ部12上部の通電層16の表面とを接触させずに離間させ、レーザチップ32とサブマウント21を接合させる際に接合部で発生する応力がリッジ部12にかかることを防ぐ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
レーザダイオードが形成された半導体基板をジャンクションダウン方式でサブマウントに接合した光半導体装置であって、
前記レーザダイオードは、
前記半導体基板の主面上に形成された、第1導電型のクラッド層と、
前記第1導電型のクラッド層の上面上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された、第2導電型のクラッド層と、
前記第2導電型のクラッド層を含むリッジ部と、
前記リッジ部の側方に形成された、前記第2導電型のクラッド層を含むバンク部と、
前記リッジ部と電気的に接続され、前記リッジ部上部から前記バンク部上部にかけて連続して形成された第1電極と、
前記バンク部上部に形成されたバンク上パターンと、
前記半導体基板の裏面に形成された第2電極と、
を有し、
前記第1電極および前記バンク上パターンを含む前記バンク部の上面は、前記サブマウント上に形成された第3電極の上面と接合されており、
前記バンク部の上面の高さは前記リッジ部の上部の前記第1電極の上面の高さよりも高く、前記リッジ部の上部の前記第1電極の表面は、前記サブマウント上の前記第3電極の表面と離間していることを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F173AA08
, 5F173AF04
, 5F173AH08
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AR42
, 5F173AR72
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (3件)
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