特許

J-GLOBAL ID：201403020556497342

TiN膜の成膜方法および記憶媒体

発明者： 山▲崎▼ 英亮 ,  岡部 真也 ,  山本 健史 ,  大西 徹
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-206983
公開番号（公開出願番号）：特開2014-159625
出願日： 2013年10月02日
公開日（公表日）： 2014年09月04日
要約：

【課題】プラズマCVD法によりTiN膜を成膜する際に、成膜枚数が増加してもパーティクルの発生を抑制することができるTiN膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】処理容器内に被処理基板を搬入し、Ti含有ガスおよび窒化ガスを処理容器内に供給するとともに、これらガスのプラズマを生成して被処理基板の表面にTiN膜を成膜する工程を複数の被処理基板に対し繰り返して行うTiN膜を成膜するにあたり、所定枚数の被処理基板に対してTiN膜を成膜した後、処理容器内に被処理基板が存在しない状態で、処理容器内にTi含有ガスを含む処理ガスを供給することによりTi膜を形成するTi膜形成工程を1回以上行う。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

処理容器内に被処理基板を搬入し、Ti含有ガスおよび窒化ガスを前記処理容器内に供給するとともに、これらガスのプラズマを生成して被処理基板の表面にTiN膜を成膜する工程を複数の被処理基板に対し繰り返して行うTiN膜の成膜方法であって、 所定枚数の被処理基板に対してTiN膜を成膜した後、前記処理容器内に被処理基板が存在しない状態で、前記処理容器内にTi含有ガスを含む処理ガスを供給することによりTi膜を形成するTi膜形成工程を1回以上行うことを特徴とするTiN膜の成膜方法。

IPC (6件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/455

FI (6件)：

C23C16/44 J ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455

Fターム (20件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD86 ,  4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特許第5551583号
  
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-001254   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 成膜方法及びプラズマ成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-023090   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-145855   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 成膜装置のプリコート方法、成膜装置及び記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-358067   出願人：東京エレクトロン株式会社