特許
J-GLOBAL ID：200903068089317486
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-001254
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096060
出願日： 2003年01月07日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】被処理体の表面に成膜処理を施すにあたり、成膜される膜中に含まれる金属汚染物の総量を減らすこと。【解決手段】処理容器内に設けた載置台に被処理体を載置し、成膜成分を含むガスを用いて前記被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置において、載置台に載置した被処理体の表面にTiCl4ガス及びNH3ガスを供給して載置台表面にTiN膜を形成するプリコート工程を行う。この工程では最初にTiCl4及びNH3の夫々のガスを同時に所定時間供給し、載置台に薄いプリコート膜を形成し、次にNH3ガスのみを供給して処理容器内のハロゲン化物の除去を行い、この一連の工程をTiN膜が所定の膜厚となるまで複数回繰り返して載置台にプリコート膜を形成し、その後載置台に被処理体を載置して成膜を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理容器内に金属化合物を含む処理ガスを供給して、載置台の表面に前記金属化合物を構成する金属を含む薄膜を形成する第1の工程と、その後処理ガスの供給を停止し、処理容器内にガスを供給して当該処理容器内または前記薄膜中に存在する第1の工程にて生じた前記薄膜を形成する成分以外の物質を除去する第2の工程と、を複数回繰り返すプリコート工程と、
次いで載置台に被処理体を載置し、前記処理ガスを含むガスを用いて当該被処理体の表面に前記金属を含む薄膜を形成する成膜工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (5件)：
H01L21/285
, C23C16/02
, C23C16/14
, C23C16/34
, C23C16/40
H01L21/285 C
, C23C16/02
, C23C16/14
, C23C16/34
, C23C16/40
4K030AA03
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA17
, 4K030BA18
, 4K030BA38
, 4K030BA42
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA03
, 4K030LA11
, 4K030LA15
, 4M104BB14
, 4M104BB18
, 4M104BB28
, 4M104BB30
, 4M104DD44
, 4M104DD45
