特許
J-GLOBAL ID：201003099089489132

成膜方法及びプラズマ成膜装置

発明者：
山▲崎▼ 英亮

山▲崎▼ 英亮 について

, 
小堆 正人

小堆 正人 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-023090
公開番号（公開出願番号）：特開2010-180434
出願日： 2009年02月03日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】ステップカバレジを向上させることができ、これによりスループットも高く維持することが可能な成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供する。【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器22内へ凹部6を有する絶縁層4が表面に形成された被処理体Wを収容すると共に前記処理容器内へ原料ガスを供給してプラズマCVD法により前記被処理体に対してチタンを含む薄膜を形成する成膜方法において、前記薄膜の形成時の前記処理容器内のプロセス圧力を230〜630Paの範囲内に設定する。これにより、ステップカバレジを向上させることができ、スループットも高く維持することが可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
真空排気が可能になされた処理容器内へ凹部を有する絶縁層が表面に形成された被処理体を収容すると共に前記処理容器内へ原料ガスを供給してプラズマCVD法により前記被処理体に対してチタンを含む薄膜を形成する成膜方法において、 前記薄膜の形成時の前記処理容器内のプロセス圧力を230〜630Paの範囲内に設定するようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (7件)：
C23C 16/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/509
FI (6件)：
C23C16/52 ,  H01L21/88 R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R ,  C23C16/14 ,  C23C16/509
Fターム (40件)：
4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030KA17 ,  4K030LA15 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH13 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP12 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW07 ,  5F033XX02
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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