特許
J-GLOBAL ID：200903069988882025

成膜装置のプリコート方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者：
清水 隆也

清水 隆也 について

, 
岡部 真也

岡部 真也 について

, 
多田 國弘

多田 國弘 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-358067
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165479
出願日： 2005年12月12日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】プリコート膜の膜厚を最適な厚さに形成し、且つ膜厚分布を小さくすることが可能な成膜装置のプリコート方法を提供する。【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器14内へシャワーヘッド32よりなるガス供給手段から成膜ガスを含む所定のガスを供給し、載置台28上に載置した被処理体Wの表面に所定の成膜条件でプラズマCVDにより薄膜を堆積させるようにした成膜装置のプリコート方法において、処理容器内へ被処理体を搬入しない状態で処理容器内へガスを供給しつつプリコート膜を形成するに際して、プリコート膜の厚さXは、シャワーヘッドに付着した膜が表面から剥離しないような最大膜厚Aからクリーニング周期間に被処理体の表面に堆積される積算総膜厚Bを減じた値以下であって、載置台の輻射率が実質的に飽和する膜厚C以上となるような式(C≦X≦A-B)で表される膜厚分布で実行する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空排気が可能になされた処理容器内へシャワーヘッドよりなるガス供給手段から成膜ガスを含む所定のガスを供給し、載置台上に載置した被処理体の表面に所定の成膜条件でプラズマCVDにより薄膜を堆積させるようにした成膜装置のプリコート方法において、 前記処理容器内へ前記被処理体を搬入しない状態で前記処理容器内へ前記ガスを供給しつつプリコート膜を形成するに際して、前記プリコート膜の厚さXは、前記シャワーヘッドに付着した膜が表面から剥離しないような最大膜厚Aからクリーニング周期間に前記被処理体の表面に堆積される積算総膜厚Bを減じた値以下であって、前記プリコート膜の輻射率が実質的に飽和する膜厚C以上となるような式(C≦X≦A-B)で表される膜厚分布で実行されることを特徴とする成膜装置のプリコート方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R ,  C23C16/44 J
Fターム (20件)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030DA08 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030KA24 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  4M104BB14 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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