特許
J-GLOBAL ID：201403021326640150

ハンドルウエハ内に高抵抗率領域を有するシリコン・オン・インシュレータ構造体およびそのような構造体の製法

発明者：
ジェフリー・エル・リバート

ジェフリー・エル・リバート について

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ル・フェイ

ル・フェイ について

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ロバート・ダブリュー・スタンドリー

ロバート・ダブリュー・スタンドリー について


出願人/特許権者：
エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド

エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド について


代理人 (4件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一 ,  山尾 憲人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-558114
公開番号（公開出願番号）：特表2014-512091
出願日： 2012年03月13日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
要約：
シリコン・オン・インシュレータ構造体のハンドルウエハ内に高抵抗率領域を有するシリコン・オン・インシュレータ構造体が開示される。このようなシリコン・オン・インシュレータ構造体を作る方法も提供される。例示的な方法は、ハンドルウエハ内に新しい抵抗値プロファイル作るように、不均一なサーマルドナープロファイルを作る工程と、ハンドルウエハのドーパントプロファイルを修正する工程とを含む。方法は、1つ以上のSOIの製造方法、または電気装置(例えば、RF装置)の製造方法を含んでもよい。
請求項（抜粋）：
ハンドルウエハと、シリコン素子層と、前記ハンドルウエハと前記シリコン素子層との間の誘電体層とを含み、前記ハンドルウエハが軸と、半径と、前面と、後面および前面から後面へ軸方向に延在する周辺端部とを有し、前記ハンドルウエハの前記前面が前記誘電体層との界面を形成し、前記ハンドル-誘電体界面および後面が前記軸に垂直であり、前記ハンドルウエハが、前記軸方向に前記ハンドル-誘電体界面から前記後面に向かって深さDslで延在する高抵抗率の領域を含む表層と前記表層から前記後面に向かって延在するバルク層とをさらに含み、前記ハンドルウエハはピーク抵抗率が前記高抵抗率領域に存在する抵抗率プロファイルを有し、前記抵抗率が概して前記ピーク抵抗率から前記バルク層に向かって低下する、シリコン・オン・インシュレータ構造体を準備する方法であって、 所定のドーパント濃度および格子間酸素濃度を備えるハンドルウエハを選択する工程であって、ハンドルウエハが第1型のドーパントでドープされ、第1型のドーパントがp型またはn型のドーパントのいずれかである、ハンドルウエハを選択する工程と、 ハンドルウエハの表層内に高抵抗率領域を形成する工程であって、 (1)前記ハンドルウエハ内の酸素の不均一な分布を形成するように前記ハンドルウエハの内に、またはハンドルウエハの外に、のいずれかに酸素を拡散し、不均一なサーマルドナーの分配を形成するように不均一な酸素の分布を有する前記ウエハをアニールすること、および (2)p型またはn型のドーパントのいずれかであり、かつ前記第1型とは異なる型である第2型のドーパントを、前記ハンドルウエハの前記表層にドープすること の少なくとも1つによりハンドルウエハの表層内に高抵抗率領域を形成する工程と、 少なくとも1つのドナーウエハの表面および/または前記ハンドルウエハの前記前面に誘電体層を形成する工程と、 貼り合わせウエハを形成するようにドナーウエハおよび前記ハンドルウエハを張り合わせる工程であって、前記ドナーウエハとハンドルウエハが前記誘電体層によって前記軸に沿って分離され、前記誘電体層が前記ドナーウエハと前記誘電体層との間にドナー-誘電体界面を形成し、前記誘電体層と前記ハンドルウエハの前面との間にハンドル-誘電体界面を形成し、前記張り合わせウエハが、前記ドナー-誘電体界面、前記ハンドル-誘電体界面または前記2つの界面の間の前記誘電体層内に位置する貼り合わせ界面を含む、ドナーウエハおよび前記ハンドルウエハを張り合わせる工程と、 シリコン・オン・インシュレータ構造体を形成するように、シリコン層が前記誘電体層に貼り合わせたままであるように、前記ドナーウエハの一部分を前記貼り合わせたウエハから取り除く工程と、 を含む方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/324
FI (2件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/324 N
引用特許：
審査官引用 (4件)
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