高抵抗シリコンウェーハおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-355780
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123351
出願日： 2003年10月16日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】表面に形成されるCMOSが、サーマルドナー発生による動作不良やn-well分離不十分などを生じることのない、p型の高抵抗ウェーハおよびその製造方法の提供。【解決手段】抵抗率が100Ωcm以上で、デバイスの製造工程でのサーマルドナー発生によるp/n反転部が、デバイス活性領域や空乏層領域には接しない深さにあるp型の高抵抗ウェーハ。p/n反転部の表面からの深さは、表面から8μm以上にできる。さらに内部には酸素析出物層があり、炭素が0.5×1016〜32×1016atoms/cm3(ASTM F123-1981)含有されるのが望ましい。製造方法はCZ法によるp型の高抵抗ウェーハを用い、調整雰囲気中にて1100〜1250°Cで1〜5時間の酸素外方拡散を目的とした加熱処理をおこなう。さらに要すれば、酸素析出を目的とした熱処理を付加する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

抵抗率が100Ωcm以上で、表面近傍は無欠陥層が形成されたp型のウェーハであって、デバイス製造の工程における熱処理がおこなわれたとき、サーマルドナー発生に起因するp/n反転部が、デバイス活性領域およびそれに接して形成される空乏層領域には接しない深さにあることを特徴とする高抵抗シリコンウェーハ。

IPC (2件)：

H01L21/322 , H01L21/324

FI (2件)：

H01L21/322 Y , H01L21/324 X

引用特許：

出願人引用 (6件)

シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ
公報種別：再公表公報出願番号：JP2000001124 出願人：信越半導体株式会社
トランス
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-268383 出願人：株式会社日立メディアエレクトロニクス
シリコンウエーハおよびシリコンエピタキシャルウエーハならびにこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-286054 出願人：信越半導体株式会社

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審査官引用 (4件)

シリコンウエーハおよびシリコンエピタキシャルウエーハならびにこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-286054 出願人：信越半導体株式会社
半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-353386 出願人：住友シチックス株式会社
高抵抗率CZシリコンにおけるサーマルドナー生成の制御
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-581577 出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド

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