特許
J-GLOBAL ID：201403023928122501
ショットキーバリアダイオードおよびそれを用いた電子装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 松井 重明
, 倉谷 泰孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-086264
公開番号（公開出願番号）：特開2014-212151
出願日： 2013年04月17日
公開日（公表日）： 2014年11月13日
要約：
【課題】本発明は、立ち上がり電圧が低く整流時の効率が向上したショットキーバリアダイオード及びそれを整流素子として用いた電子装置を得ることを目的とする。【解決手段】本発明のショットキーバリアダイオードは、基板の上に形成されたIII-V族窒化物半導体層と、III-V族窒化物半導体層とオーミック接続されたカソード電極と、III-V族窒化物半導体層との接合特性の異なる複数の接合部を有するアノード電極とを備え、アノード電極の一部がショットキー接合を形成する電極Aであり、他の一部が、オーミック接合、または電極Aより接合界面のエネルギー障壁高さが小さい接合を形成する電極Bであり、電極Aの接合部は電極Bの接合部とカソード電極との間に形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の一主面上に形成されたIII-V族化合物半導体層と、
前記III-V族化合物半導体層上に形成され、前記III-V族化合物半導体層との第1の接合部にショットキー接合が形成された第1の電極と、
前記III-V族化合物半導体層上に形成され、前記III-V族化合物半導体層との第2の接合部に、オーミック接合、または接合界面の障壁の高さが前記ショットキー接合のショットキー障壁より低い第2のエネルギー障壁を有する非オーミック接合、が形成された第2の電極と、
前記III-V族化合物半導体層に接続されたカソード電極と、
を備え、
前記第1の電極および前記第2の電極は、同一のアノード電極を構成し、
前記第1の接合部は、前記第2の接合部と前記カソード電極との間に形成された
ことを特徴とするショットキーバリアダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 F
, H01L29/48 D
4M104AA04
, 4M104AA07
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD07
, 4M104FF01
, 4M104FF11
, 4M104FF27
, 4M104FF31
, 4M104GG03
, 4M104GG18
, 4M104HH17
, 4M104HH20
