化合物半導体ESD保護装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村上智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-096857
公開番号（公開出願番号）：特開2014-130991
出願日： 2013年05月02日
公開日（公表日）： 2014年07月10日
要約：

【課題】マルチゲートE-FETを用いた化合物半導体ESD保護装置を提供する。【解決手段】マルチゲートE-FETを用いた3タイプの化合物半導体ESD保護装置に関する。第一タイプの化合物半導体ESD保護装置では、ソース電極は少なくとも1つの第1の抵抗150を介し、複数のゲート電極に接続され、ドレイン電極は少なくとも1つの第2の抵抗151を介し、該複数のゲート電極に接続される。第二タイプの化合物半導体ESD保護装置では、複数のゲート電極は、少なくとも1つの第4の抵抗140を介し、隣接する2つのゲート電極間のゲート間領域の内の1つに接続される。第三タイプの化合物半導体ESD保護装置では、複数のゲート電極が少なくとも1つの第7の抵抗を介し、ソース電極又はドレイン電極に接続される。3タイプの化合物半導体ESD保護装置においては、どの2つのゲート電極も抵抗により接続できる。【選択図】図3C

請求項（抜粋）：

ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極との間に設けられた複数のゲート電極とを備えるマルチゲートエンハンスメント型電界効果トランジスタ(E-FET)と、前記ソース電極が、それを介して前記複数のゲート電極のうちの少なくとも1つに接続される少なくとも1つの第1の抵抗と、前記ドレイン電極が、それを介して前記複数のゲート電極のうちの少なくとも1つに接続される少なくとも1つの第2の抵抗と、を備える化合物半導体静電放電(ESD)保護装置。

IPC (10件)：

H01L 29/808 , H01L 21/338 , H01L 21/337 , H01L 29/812 , H01L 27/095 , H01L 29/778 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (7件)：

H01L29/80 P , H01L29/80 E , H01L29/80 H , H01L29/80 W , H01L29/48 F , H01L29/48 D , H01L27/04 H

Fターム (25件)：

4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104FF11 , 4M104GG12 , 4M104GG13 , 4M104GG19 , 4M104HH20 , 5F038BE07 , 5F038BH02 , 5F038BH13 , 5F038CA02 , 5F038DF02 , 5F038EZ02 , 5F038EZ08 , 5F038EZ20 , 5F102FA06 , 5F102GA17 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC05 , 5F102GD01 , 5F102GL04 , 5F102GL05 , 5F102GQ01 , 5F102GS09

引用特許：

審査官引用 (5件)

双方向型静電気放電保護素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-211837 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
マルチゲート半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-278707 出願人：ウインセミコンダクターズコーポレーション
半導体素子及びこれを備える通信機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-194819 出願人：ソニー株式会社

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