特許

J-GLOBAL ID：200903032531383219

保護回路

発明者： 中原 宏徳
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 森下 賢樹 ,  真家 大樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-058526
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218296
出願日： 2008年03月07日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【課題】接地電圧以下に低下する端子を保護する。【解決手段】第1トランジスタM1は、伝導チャンネルの第1端子12、ゲート14およびバックゲート16が、保護対象となる端子P1に接続されたNチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)である。第2トランジスタM2は、伝導チャンネルの第1端子22、ゲート24およびバックゲート26が、固定電圧端子P2に接続され、伝導チャンネルの第2端子28が、第1トランジスタM1の伝導チャンネルの第2端子18に接続されたNチャンネルMOSFETである。第1トランジスタM1、第2トランジスタM2は、P型半導体基板に形成された共通のN型ウェル内に形成されたフローティングMOSFETであり、互いに素子分離される。第1トランジスタM1、第2トランジスタM2の共通接続点N1は、素子分離用のN型ウェルと接続される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

伝導チャンネルの一端、ゲートおよびバックゲートが、保護対象となる端子に接続されたNチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)である第1トランジスタと、 伝導チャンネルの一端、ゲートおよびバックゲートが、固定電圧端子に接続され、伝導チャンネルの他端が、前記第1トランジスタの伝導チャンネルの他端に接続されたNチャンネルMOSFETである第2トランジスタと、 を備え、 前記第1、第2トランジスタは、P型半導体基板に形成された共通のN型ウェル内に形成されたフローティングMOSFETであり、互いに素子分離され、 前記第1、第2トランジスタの共通接続点は、前記N型ウェルと接続されることを特徴とする保護回路。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L27/04 H ,  H01L27/06 311C

Fターム (15件)：

5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE09 ,  5F048BF18 ,  5F048CC09 ,  5F048CC13 ,  5F048CC16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-100020   出願人：ミツミ電機株式会社
• 保護回路を具えた絶縁ゲート型トランジスタ回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-271514   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 双方向型静電気放電保護素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-211837   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 静電気保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-056824   出願人：株式会社デンソー
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-349005   出願人：松下電器産業株式会社
• 入力保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-317557   出願人：ヤマハ株式会社