特許
J-GLOBAL ID：201403024056917057

電界効果トランジスタの非接触制御のためのシステム

発明者：
ハラーミ エレツ

ハラーミ エレツ について


出願人/特許権者：
ハラーミ エレツ

ハラーミ エレツ について


代理人 (1件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-525524
公開番号（公開出願番号）：特表2014-527720
出願日： 2012年07月31日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：
本発明は、電界効果トランジスタ(MOS、FETなど)のゲート領域における電界を、ゲート電極の正味電荷を変更せずに、又は、電気伝導を用いずに制御することが可能であるという認識に由来している。本発明の一態様によれば、前記電界が、ゲート電極内の電荷分布を、電荷キャリアをゲート電極に実質的に加減せずに、又は、ゲート電極の正味電荷を変更せずに修正することにより変更される。これは、1以上の電界の源、例えば、自由電荷、又は導電性若しくは非導電性の表面電荷を、前記ゲート電極付近に移動させることにより達成される。前記電界は、電気誘導により、前記ゲート電極における電荷の分離、及び、FETトランジスタの導通状態の変化を生じる。
請求項（抜粋）：
活性領域を有する電界効果トランジスタを制御する方法であって、減圧された空間にて自由電荷を前記トランジスタの前記活性領域付近に移動させ、それにより、前記自由電荷が、前記活性領域における電界を変更し、且つ、前記トランジスタの端子にかかる電圧及び/又は前記トランジスタを流れる電流を修正する方法。
IPC (8件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/423 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (7件)：
H01L29/78 301J ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G ,  H01L29/58 Z ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/66 C ,  H01L29/78 371
Fターム (27件)：
4M104AA03 ,  4M104AA10 ,  4M104CC05 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF04 ,  4M104FF26 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG11 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F101BA64 ,  5F101BA65 ,  5F101BB12 ,  5F101BB20 ,  5F101BC18 ,  5F101BC20 ,  5F101BD19 ,  5F101BD33 ,  5F101BD39 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE06 ,  5F140AA00 ,  5F140AC00
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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