特許
J-GLOBAL ID：201403029007959978
トンネルFETのデバイスシミュレーション方法及びシステム並びにトンネルFETのコンパクトモデル設計方法及びコンパクトモデル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西浦 ▲嗣▼晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-062366
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187296
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：
【課題】トンネルFETの非局所電界バンド間トンネルのコンパクトモデルを提供する。【解決手段】トンネルFETのトンネルパスをソースゲートオーバーラップ部分において、垂直方向のパスとチャンネル界面に沿ってドレインに向かう水平方向のパスの2つのパスに分離する。第1の曲がり記憶部21は、垂直方向のパスにおけるソース・ゲート間電圧に対するミッドギャップ電位の曲がりを、MOSの理論式に基づくミッドギャップ電位近似式による関数として記憶する。第2の曲がり記憶部は、水平方向のソース・ゲート間電圧に対するミッドギャップ電位の第2の曲がりを、容量を用いたミッドギャップ電位近似式による関数として記憶する。トンネル距離演算部は、ミッドギャップ電位の第1の曲がりと第2の曲がりを用いて、非局所電界バンド間トンネルの各位置毎にトンネル距離Lを求める。キャリア発生量演算部は、各位置におけるトンネル距離LとバンドギャップEGとに基づいてバンド間トンネルによるキャリアの発生量Gを演算する。【選択図】 図18
請求項（抜粋）：
トンネルFETのバンド間トンネルによるキャリアの発生量をシミュレートするデバイスシミュレーション方法であって、
前記トンネルFETのバンドエネルギをトレースしてトンネル距離Lを求めるトレースステップと、
前記トレースステップにより得たトンネル距離LとバンドギャップEGとから非局所電界Enonl(=EG/L)を定義する非局所電界定義ステップと、
バンド間トンネルによるキャリアの発生量Gを下記の式
G=A・Enonlp・exp(-B/Enonl)
(但し、A、B及びpは半導体の材料により定まるKaneの式のパラメータである)に基づいて演算するキャリア発生量演算ステップとからなるデバイスシミュレーション方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/66
, H01L 29/00
H01L29/78 301Z
, H01L29/78 301J
, H01L29/66 T
, H01L29/00
5F140AA40
, 5F140AC13
, 5F140BA01
, 5F140BA03
, 5F140BH49
, 5F140DB02
