特許
J-GLOBAL ID：201403031722085874

オゾン支援による高品質均質金属酸化物薄膜作製技術、及び、該薄膜作製技術による酸化物薄膜トランジスタ、及び、その製造方法

発明者：
川原村 敏幸

川原村 敏幸 について

, 
古田 守

古田 守 について

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内田 貴之

内田 貴之 について

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眞田 克

眞田 克 について


出願人/特許権者：
公立大学法人高知工科大学

公立大学法人高知工科大学 について


代理人 (1件)： 清原 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-023862
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154734
出願日： 2013年02月08日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】オゾンを用いることで特性を改善した、薄膜成長法による酸化物薄膜トランジスタの製造方法及び該製造方法で製造される酸化物薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板上にゲート電極を形成する工程と、金属酸化物絶縁体を形成するのに必要な金属化合物を溶解した原料溶液を用いて、成膜室にオゾンを導入しながら前記ゲート電極を被覆するように前記基板上に金属酸化物絶縁体からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、金属酸化物半導体を形成するのに必要な金属化合物を溶解した原料溶液を用いて、成膜室にオゾンを導入しながら前記ゲート絶縁膜上に金属酸化物半導体からなるチャネル層を形成する工程と、を少なくとも備えることを特徴とする酸化物薄膜トランジスタの製造方法とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にゲート電極を形成する工程と、 金属酸化物絶縁体を形成するのに必要な金属化合物を溶解した原料溶液を用いて、成膜室にオゾンを導入しながら前記ゲート電極を被覆するように前記基板上に金属酸化物絶縁体からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、 金属酸化物半導体を形成するのに必要な金属化合物を溶解した原料溶液を用いて、成膜室にオゾンを導入しながら前記ゲート絶縁膜上に金属酸化物半導体からなるチャネル層を形成する工程と、を少なくとも備えることを特徴とする酸化物薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (8件)：
H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L21/365 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/316 B
Fターム (56件)：
5F045AA03 ,  5F045AB22 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE29 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE02 ,  5F045EE20 ,  5F045EF01 ,  5F045EF20 ,  5F045EK07 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BE01 ,  5F058BF03 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA16 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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