特許
J-GLOBAL ID：200903047792542303

成膜方法及び成膜装置

発明者：
西中 浩之

西中 浩之 について

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川原村 敏幸

川原村 敏幸 について

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藤田 静雄

藤田 静雄 について

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増田 喜男

増田 喜男 について

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亀谷 圭介

亀谷 圭介 について

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丸山 則彦

丸山 則彦 について


出願人/特許権者：
藤田 静雄

藤田 静雄 について

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エムテック株式会社

エムテック株式会社 について

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セラミックフォーラム株式会社

セラミックフォーラム株式会社 について


代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-122834
公開番号（公開出願番号）：特開2005-307238
出願日： 2004年04月19日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】ガラス基板等にSiO2 膜、ITO膜(透明導電膜)、SnO2膜(ATO,FTO)等を形成する成膜方法及び成膜装置に係り、成膜する表面が比較的広く、効率良く、安価に成膜することのできる成膜方法及び成膜装置を提供すること。【解決手段】 基板を成膜室に配置して前記基板表面に沿う方向に原料ガスを流動させることにより基板の表面に膜を生成する化学的気相成膜方法であって、前記基板の表面と成膜室の内壁との距離を約0.1mm以上約10.0mm以下の範囲内の所定の距離とし、約0.4m/sec以上約4.0m/sec以下の範囲内の所定の速度で前記基板表面上に原料ガスを流す化学的気相成膜方法。及び、その成膜装置。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
基板を成膜室に配置して前記基板表面に沿う方向に原料ガスを流動させることにより基板の表面に膜を生成する化学的気相成膜方法であって、 前記基板の表面と成膜室の内壁との距離を約0.1mm以上約10.0mm以下の範囲内の所定の距離とし、 約0.4m/sec以上約4.0m/sec以下の範囲内の所定の速度で前記基板表面上に原料ガスを流す化学的気相成膜方法。
IPC (5件)：
C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/365
FI (5件)：
C23C16/455 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/316 B ,  H01L21/365
Fターム (20件)：
4K030BA11 ,  4K030BA16 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BA45 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA12 ,  4K030KA02 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  5F045AA03 ,  5F045AB22 ,  5F045DP04 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (18件)
  • 気相成長方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-284234   出願人：信越半導体株式会社
  • 半導体処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-232994   出願人：株式会社日立製作所
  • CVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-222690   出願人：株式会社日立製作所
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