特許

J-GLOBAL ID：201403032477015721

スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 大橋 正樹 ,  小林 知洋 ,  関 明寛 ,  提箸 正義 ,  福島 将大
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-003768
公開番号（公開出願番号）：特開2014-133725
出願日： 2013年01月11日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
要約：

【課題】ArFエキシマレーザー光、EUV等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて解像性、特にパターン形状の矩形性に優れ、かつラフネスの小さい良好なパターンを与え、更には液浸リソグラフィーにおいて水に溶出しにくいレジスト材料に使用されるスルホニウム塩、及び該スルホニウム塩を含有するレジスト材料、及びそのレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1a)で示されるスルホニウム塩。(式中、Rは少なくとも1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状の一価炭化水素基を示す。R0は水素原子、又はへテロ原子で置換されていてもよく、ヘテロ原子が介在してもよい炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状の一価炭化水素基を示す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1a)で示されるスルホニウム塩。

IPC (6件)：

C07C 309/12 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  C07C 381/12 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/26

FI (7件)：

C07C309/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 504 ,  C07C381/12 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/26

Fターム (44件)：

2H125AF17P ,  2H125AF20P ,  2H125AF21P ,  2H125AF38P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM22P ,  2H125AM66P ,  2H125AM91P ,  2H125AM94P ,  2H125AM99P ,  2H125AN39P ,  2H125AN54P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4H006AA01 ,  4H006AB48 ,  4H006TN30 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (3件)

• スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-218958   出願人：信越化学工業株式会社
• 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-262560   出願人：信越化学工業株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-130597   出願人：信越化学工業株式会社