パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-130597
公開番号（公開出願番号）：特開2013-003167
出願日： 2011年06月10日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：

【課題】本発明は、短時間でPEBを行うことができ、それによりスループットの向上や、酸拡散距離を短くすることができることによる解像性の向上が達成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】被加工基板上に波長600〜2000nmの範囲の光を吸収する下層膜を形成し、該下層膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光した後、波長600〜2000nmの光を照射して加熱することでポストエクスポジュアーベーク(PEB)を行い、その後現像によってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被加工基板上に波長600〜2000nmの範囲の光を吸収する下層膜を形成し、該下層膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光した後、波長600〜2000nmの光を照射して加熱することでポストエクスポジュアーベーク(PEB)を行い、その後現像によってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 , G03F 7/039 , G03F 7/26 , H01L 21/027 , C08F 20/10

FI (6件)：

G03F7/11 503 , G03F7/039 601 , G03F7/26 511 , H01L21/30 568 , H01L21/30 573 , C08F20/10

Fターム (74件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA06 , 2H096FA02 , 2H096KA06 , 2H125AE04N , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF29N , 2H125AF34P , 2H125AF36N , 2H125AH12 , 2H125AH15 , 2H125AH16 , 2H125AH17 , 2H125AH22 , 2H125AH23 , 2H125AH24 , 2H125AJ12X , 2H125AJ14X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AM12N , 2H125AM15N , 2H125AM80N , 2H125AM93N , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN62P , 2H125AN65N , 2H125AN67N , 2H125AN92N , 2H125AN94N , 2H125BA01P , 2H125BA17N , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125CA12 , 2H125CB16 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125CD23N , 2H125CD40 , 2H125DA21 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100AL08T , 4J100AL11Q , 4J100AL11T , 4J100BA03Q , 4J100BA04T , 4J100BA11R , 4J100BA15S , 4J100BA56S , 4J100BB17S , 4J100BC12P , 4J100BC12S , 4J100BC43Q , 4J100BC43T , 4J100BC48Q , 4J100BC49Q , 4J100BC53R , 4J100BC65R , 4J100BC79R , 4J100CA01 , 4J100CA03 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100DA38 , 4J100JA38 , 5F146KA01 , 5F146NA12

引用特許：

審査官引用 (7件)

レジストパターン形成方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-237527 出願人：株式会社日立製作所
ネガ型平版印刷版原版
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-310623 出願人：富士写真フイルム株式会社
多層レジスト法によるパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-233379 出願人：信越化学工業株式会社

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