特許

J-GLOBAL ID：201203096019386773

スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 提箸 正義 ,  大澤 洋一 ,  長谷川 幸士 ,  金生 剛 ,  小林 知洋
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-218958
公開番号（公開出願番号）：特開2012-106986
出願日： 2011年10月03日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：

【課題】レジスト材料に用いた場合に液浸水への溶出およびパターン依存性(ダーク・ブライト差)が少なく、化学増幅レジスト材料の光酸発生剤として有用である、カチオン部分にフルオロアルコキシ鎖を有するスルホニウム塩の提供。【解決手段】一般式(2)で示されるアニオン部を有するスルホニウム塩。(R1は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜30の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。R2は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。Rfは少なくとも1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜4のアルキル基を示す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩。

IPC (5件)：

C07D 333/46 ,  C07C 309/12 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C07D333/46 ,  C07C309/12 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R

Fターム (28件)：

2H125AF17P ,  2H125AF21P ,  2H125AF38P ,  2H125AH12 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH25 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN39P ,  2H125AN54P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125FA03 ,  4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB76 ,  4H006AC48

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 感光性組成物及び酸発生剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-319905   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-093303   出願人：信越化学工業株式会社
• 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-219101   出願人：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-180797   出願人：富士フイルム株式会社