特許

J-GLOBAL ID：201403035182141830

磁気抵抗メモリ

発明者： 角田 浩司
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  伊坪 公一 ,  樋口 外治 ,  小林 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-141477
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007263
出願日： 2012年06月22日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：

【課題】書き換え電流を増加させずに熱的安定性を向上させ、トレードオフの関係を改善した垂直磁化型磁気抵抗メモリの実現。【解決手段】複数の垂直磁化型磁気抵抗メモリセル10を有し、各メモリセルは、トンネル絶縁膜MgO51と、トンネル絶縁膜を挟んで対向するように形成された2層の強磁性金属電極である磁化自由層53および磁化固定層52と、磁化自由層のトンネル絶縁膜とは逆の界面に形成された付加層56,57と、を有し、付加層は、界面キャップ層56と強磁性金属電極の補助層57を含む組を、少なくとも1組有し、トンネル絶縁膜と2層の強磁性金属電極の界面垂直磁化を利用してデータの記憶を行う垂直磁化型磁気抵抗メモリ。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

複数の垂直磁化型磁気抵抗メモリセルを備え、 各メモリセルは、 トンネル絶縁膜と、 前記トンネル絶縁膜を挟んで対向するように形成された2層の強磁性金属電極である磁化自由層および磁化固定層と、 前記磁化自由層の前記トンネル絶縁膜とは逆の界面に形成された付加層と、を備え、 前記付加層は、界面キャップ層と強磁性金属電極の補助層を含む組を、少なくとも1組備え、 前記トンネル絶縁膜と前記2層の強磁性金属電極の界面垂直磁化を利用してデータの記憶を行うことを特徴とする垂直磁化型磁気抵抗メモリ。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/08 H ,  G11C11/15 112

Fターム (43件)：

4M119AA01 ,  4M119AA03 ,  4M119AA10 ,  4M119AA11 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD15 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF03 ,  4M119FF05 ,  4M119FF06 ,  4M119FF13 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119FF18 ,  4M119FF19 ,  4M119JJ12 ,  4M119JJ15 ,  4M119JJ16 ,  4M119KK02 ,  4M119KK04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-178615   出願人：株式会社東芝
• 記憶素子、メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-205262   出願人：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-016450   出願人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド