特許
J-GLOBAL ID：201103008875376459
磁気抵抗効果素子およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三反崎 泰司
, 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-016450
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159973
出願日： 2011年01月28日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：
【課題】低保磁力、低磁歪および低RA値を確保しつつ、高いTMR比を得る。【解決手段】フリー層18は、トンネルバリア層17の側から第1の強磁性層、挿入層および第2の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第1の強磁性層は、CoFe合金、または、そのCoFe合金にNiなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。第1の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。挿入層は、Fe,CoおよびNiから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ta,Ti,W,Zr,Hf,Nb,Mo,V,MgおよびCrから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第2の強磁性層は、CoFeやNiFeなどからなり、負の磁歪定数を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁気デバイスに用いられる磁気抵抗効果素子であって、
(a)基体上に形成されたピンド層と、
(b)前記ピンド層と接する第1の面、および前記第1の面と反対側の第2の面を有する非磁性スペーサ層と、
(c)前記非磁性スペーサ層の第2の面と接するように設けられ、正の磁歪定数を有する第1の強磁性層と挿入層と負の磁歪定数を有する第2の強磁性層とを順に含み、全体として5×10-6以下の磁歪定数を有する複合フリー層と
を備え、
(1)第1の強磁性層は、CoW Fe(100-W)(Wは0以上100以下)および[CoWFe(100-W)](100-Y)BY(Wは0以上100以下、Yは10以上40以下)のうちの少なくとも一方のコバルト鉄含有合金、または、それらのコバルト鉄含有合金のうちの少なくとも一方にNi,Ta,Mn,Ti,W,Zr,Hf,TbおよびNbから選択される少なくとも1種の追加元素を添加してなる合金を含み、かつ、前記非磁性スペーサ層の第2の面と接するインナー面と、このインナー面と反対側のアウター面とを有し、前記アウター面が表面改質構造および周囲よりも高い表面エネルギーを有する構造のうちの少なくとも一方を含むものであり、
(2)前記挿入層は、前記第1の強磁性層のアウター面と接する第1の面と、第2の強磁性層と接する第2の面とを有すると共に、Fe,CoおよびNiから選択される少なくとも1種の磁性元素とTa,Ti,W,Zr,Hf,Nb,Mo,V,MgおよびCrから選択される少なくとも1種の非磁性元素とを含むものであり、
(3)前記第2の強磁性層は、CoWFe(100-W)(wは0以上100以下)およびNiZFe(100-Z)(Zは、70以上100以下)のうちの少なくとも一方の合金、または、CoWFe(100-W)もしくはNiZFe(100-Z)と、Ni,Ta,Mn,Ti,W,Zr,Hf,Tb,NbおよびBから選択される少なくとも1種の元素とを組み合わせた合金を含むものである
磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, H01F 10/16
, H01F 10/14
H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01F10/32
, H01F10/16
, H01F10/14
5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA12
, 5D034BA15
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB14
, 5E049GC01
, 5E049JC01
, 5F092AB01
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092AD06
, 5F092BB10
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB31
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BC14
, 5F092BC18
, 5F092BC34
, 5F092BC39
, 5F092BE06
, 5F092BE24
, 5F092BE27
, 5F092CA14
, 5F092CA25
, 5F092CA40
