特許
J-GLOBAL ID：201403036875446517
成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-152111
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017296
出願日： 2012年07月06日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：
【課題】基板に形成される凹部に埋め込まれた酸化シリコン膜にシームに沿って隙間ができるのを抑えることが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】凹部が形成された基板にシリコン含有ガスを供給して当該基板にシリコン含有ガスを吸着させ、吸着されたシリコン含有ガスを酸化ガスで酸化することにより、酸化シリコン膜が基板上に形成される。シリコン含有ガスが供給される基板の上方雰囲気における気相温度は、シリコン含有ガスが分解し得る温度よりも高い温度に基板が加熱されている場合であっても、シリコン含有ガス供給部と酸化ガス供給部とを分離する分離領域から供給される不活性ガスにより低く維持され得るため、シリコン含有ガスは気相中で分解することなく、基板に吸着することができる。【選択図】図9A
請求項（抜粋）：
シリコン含有ガスと酸化ガスとに対して基板を交互に晒して、当該基板に酸化シリコン膜を成膜する成膜方法であって、
真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルに、凹部が形成された基板を載置するステップと、
前記シリコン含有ガスが気相中で分解し得る温度である第1の温度よりも高い第2の温度に前記回転テーブルを加熱するステップと、
前記真空容器内の第1の空間と、該第1の空間から前記回転テーブルの周方向に離間する第2の空間との間に設けられ、前記第1の空間及び前記第2の空間の第1の天井面よりも低い第2の天井面を提供する天井面形成部内に配置され、前記第2の天井面と前記回転テーブルとの間の狭隘な空間に対して不活性ガスを供給する不活性ガス供給部から前記狭隘な空間を通して少なくとも前記第1の空間に前記不活性ガスを供給することにより、前記第1の空間の気相温度の上昇を抑え、前記シリコン含有ガスの気相中での分解を抑制するステップと、
前記第1の空間に設けられ、前記回転テーブルに対して前記シリコン含有ガスを供給する第1のガス供給部から、前記回転テーブルに載置される前記基板に対して前記シリコン含有ガスを供給するステップと、
前記第2の空間に設けられ、前記回転テーブルに対して前記シリコン含有ガスを酸化する酸化ガスを供給する第2のガス供給部から、前記回転テーブルに載置される前記基板に対して前記酸化ガスを供給するステップと、
前記第2のガス供給部と、前記回転テーブルの回転方向下流側に位置する前記天井面形成部との間に配置されるプラズマ生成部により、当該プラズマ生成部と前記回転テーブルとの間にプラズマを生成するステップと、
前記回転テーブルを回転することにより、当該回転テーブルに載置される前記基板を前記シリコン含有ガス、前記酸化ガス、及び前記プラズマに晒して、前記基板に酸化シリコン膜を成膜するステップと、
前記酸化シリコン膜が成膜された前記基板を加熱するステップと
を含む、成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA14
, 4K030AA18
, 4K030EA06
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030JA10
, 4K030JA16
, 4K030KA26
, 5F045AA08
, 5F045AB32
, 5F045AC07
, 5F045AC11
, 5F045BB19
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045EE19
, 5F045EJ02
, 5F045EJ10
, 5F045EM10
