特許
J-GLOBAL ID:200903018804830733
層析出装置および層析出装置を運転する方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, 杉本 博司
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-250749
公開番号(公開出願番号):特開2009-084693
出願日: 2008年09月29日
公開日(公表日): 2009年04月23日
要約:
【課題】プロセスガスの前反応を減じる層析出装置を提供する。【解決手段】チャンバ(10)が設けられており、該チャンバ(10)が、被覆したい少なくとも1つの基板(13)を受容するための基板キャリア(12)と、隔壁(23)を備えるプロセスガス室(11)とを有しており、前記隔壁(23)が、プロセスガス室(11)の第1のセグメント(21)をプロセスガス室(11)の第2のセグメント(22)から仕切っており、かつ前記少なくとも1つの基板(13)を前記隔壁(23)に対して相対的に運動させる装置(44)が設けられているようにした。【選択図】図1A
請求項(抜粋):
層析出装置において、
-チャンバ(10)が設けられており、該チャンバ(10)が、
被覆したい少なくとも1つの基板(13)を受容するための基板キャリア(12)と、
隔壁(23)を備えるプロセスガス室(11)とを有しており、前記隔壁(23)が、プロセスガス室(11)の第1のセグメント(21)をプロセスガス室(11)の第2のセグメント(22)から仕切っており、かつ
-前記少なくとも1つの基板(13)を前記隔壁(23)に対して相対的に運動させる装置(44)が設けられている
ことを特徴とする、層析出装置。
IPC (3件):
C23C 16/458
, C23C 16/455
, H01L 21/205
FI (3件):
C23C16/458
, C23C16/455
, H01L21/205
Fターム (18件):
4K030EA03
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030GA06
, 4K030JA11
, 4K030KA12
, 4K030KA46
, 4K030LA12
, 5F045AA03
, 5F045AA08
, 5F045AB09
, 5F045AC15
, 5F045AF01
, 5F045BB04
, 5F045DP15
, 5F045DQ04
, 5F045EC01
, 5F045EM10
引用特許:
出願人引用 (7件)
-
US6576062B2号
-
処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-235357
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
気相成長装置および気相成長方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-106760
出願人:シャープ株式会社
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る