特許
J-GLOBAL ID:201403039118812939
半導体レーザ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
土井 健二
, 林 恒徳
, 眞鍋 潔
, 柏谷 昭司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-153338
公開番号(公開出願番号):特開2014-017347
出願日: 2012年07月09日
公開日(公表日): 2014年01月30日
要約:
【課題】 半導体レーザに関し、位相シフト領域を設けることなく発振モードを安定にして、光取り出し効率を向上する。【解決手段】 一定の周期の回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザ領域の少なくとも一方の端面側に、実効的な回折格子周期及び結合係数が共振器方向に沿って変化している回折格子を備えた分布反射鏡領域を設ける。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
一定の周期の回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザ領域と
前記分布帰還型半導体レーザ領域の少なくとも一方の端面側に設けられ、実効的な回折格子周期及び結合係数が共振器方向に沿って変化している回折格子を備えた分布反射鏡領域と
を有することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (9件):
5F173AA26
, 5F173AB03
, 5F173AB13
, 5F173AB24
, 5F173AH14
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP73
, 5F173AR04
引用特許:
出願人引用 (9件)
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半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-101072
出願人:富士通株式会社
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半導体レーザ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-160635
出願人:日本電気株式会社
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半導体レーザ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-245111
出願人:NECエレクトロニクス株式会社
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特開昭63-299390
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特開平2-172289
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特開昭62-209886
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特開昭61-125186
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特開平1-041290
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分布帰還型半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-020598
出願人:日本電気株式会社
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審査官引用 (3件)
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