特許
J-GLOBAL ID：201003033573778113
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
真田 有
, 山本 雅久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-101072
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251609
出願日： 2009年04月17日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】半導体レーザにおいて、マルチモード発振あるいはモード跳びが生じないようにして、単一縦モード発振が得られる素子の歩留まり向上を図る。【解決手段】半導体レーザを、活性層105と、発振波長を決める回折格子3及び位相シフト4とを備える活性領域1と、光ガイド層108と、反射用回折格子6とを備える分布反射鏡領域2とを備えるものとし、分布反射鏡領域2を、実効的な回折格子周期が共振器方向に沿って変化するように構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性層と、発振波長を決める回折格子及び位相シフトとを備える活性領域と、
光ガイド層と、反射用回折格子とを備える分布反射鏡領域とを備え、
前記分布反射鏡領域は、実効的な回折格子周期が共振器方向に沿って変化していることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F173AA05
, 5F173AB03
, 5F173AB04
, 5F173AB24
, 5F173AF07
, 5F173AH13
, 5F173AH14
, 5F173AJ03
, 5F173AJ23
, 5F173AP04
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AR04
, 5F173AR93
, 5F173MA02
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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