特許
J-GLOBAL ID：200903091464996851

半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
北村 昌太郎

北村 昌太郎 について

, 
小林 正英

小林 正英 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-245111
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066620
出願日： 2006年09月11日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】良好な単一軸モード歩留まりを維持しつつ、素子の光出力前後比を向上させる分布帰還型半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明にかかる分布帰還型半導体レーザは、位相シフト部を有する回折格子構造4と、回折格子構造4を埋め込んで設けられたガイド層3と、活性層1とを備えた分布帰還型半導体レーザであって、位相シフト部を境に、伝送用信号光を出射する共振器端面を含む側の領域を前方領域、監視用信号光を出射する共振器端面を含む側の領域を後方領域としたとき、ガイド層3は、後方領域の一部の組成と前方領域の組成が異なるものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
位相シフト部を有する回折格子構造と、 前記回折格子構造を埋め込んで設けられたガイド層と、 活性層と、 を備えた分布帰還型半導体レーザであって、 前記位相シフト部を境に、伝送用信号光を出射する共振器端面を含む側の領域を前方領域、監視用信号光を出射する共振器端面を含む側の領域を後方領域としたとき、 前記ガイド層は、前記後方領域の一部の組成と前記前方領域の組成が異なる分布帰還型半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S 5/12
FI (1件)：
H01S5/12
Fターム (13件)：
5F173AA27 ,  5F173AB15 ,  5F173AF64 ,  5F173AH14 ,  5F173AL04 ,  5F173AP06 ,  5F173AP13 ,  5F173AP20 ,  5F173AP32 ,  5F173AQ14 ,  5F173AR04 ,  5F173AR14 ,  5F173AR99
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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