特許
J-GLOBAL ID：201403039597557816
抵抗変化型記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-094187
公開番号（公開出願番号）：特開2014-216553
出願日： 2013年04月26日
公開日（公表日）： 2014年11月17日
要約：
【課題】動作の安定性が高い抵抗変化型記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る抵抗変化型記憶装置は、第1材料からなる第1抵抗変化層と、前記第1抵抗変化層上に設けられ前記第1材料とは異なる第2材料からなる第2抵抗変化層と、前記第2抵抗変化層上に設けられ、前記第1抵抗変化層内及び前記第2抵抗変化層内を移動可能な金属を含むイオンソース層と、を備える。前記第1抵抗変化層の幅は、前記第2抵抗変化層の幅よりも細い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1方向に延びる第1配線と、
前記第1配線上に設けられ、シリコンからなる第1抵抗変化層と、
前記第1抵抗変化層上に設けられシリコン酸化物からなる第2抵抗変化層と、
前記第2抵抗変化層上に設けられ、前記第2抵抗変化層に接し、銀を含むイオンソース層と、
前記イオンソース層上に設けられ、前記第1方向に対して交差した第2方向に延びる第2配線と、
を備え、
前記第1抵抗変化層の幅は、前記第2抵抗変化層の幅よりも細い抵抗変化型記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083GA10
, 5F083GA11
, 5F083GA27
, 5F083JA22
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR03
, 5F083PR06
, 5F083PR40
, 5F083ZA30
