特許
J-GLOBAL ID：201403040966270532
貼り合わせウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-113307
公開番号（公開出願番号）：特開2014-232806
出願日： 2013年05月29日
公開日（公表日）： 2014年12月11日
要約：
【課題】RTA処理と犠牲酸化処理を組み合わせて、貼り合わせウェーハの薄膜表面の平坦化と薄膜の減厚化を行う際に、BMD密度の増加を抑制し、かつ、薄膜表面を十分に平坦化することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】貼り合わせウェーハを構成するボンドウェーハを剥離した後の貼り合わせウェーハに対し、水素含有雰囲気下でRTA処理を行った後、犠牲酸化処理を行って前記薄膜を減厚する工程を有し、前記RTA処理の保持開始温度を1150°Cよりも高い温度とし、前記RTA処理の保持終了温度を1150°C以下とした条件で、前記RTA処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製する、貼り合わせウェーハの製造方法において、
前記ボンドウェーハを剥離した後の貼り合わせウェーハに対し、水素含有雰囲気下でRTA処理を行った後、犠牲酸化処理を行って前記薄膜を減厚する工程を有し、
前記RTA処理の保持開始温度を1150°Cよりも高い温度とし、前記RTA処理の保持終了温度を1150°C以下とした条件で、前記RTA処理を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/324
H01L27/12 B
, H01L21/324 X
, H01L21/02 B
