特許
J-GLOBAL ID：201403042758701921

熱処理装置および方法

発明者：
齋藤 光央

齋藤 光央 について

, 
奥村 智洋

奥村 智洋 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 徳田 佳昭 ,  藤井 兼太郎 ,  寺内 伊久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170095
公開番号（公開出願番号）：特開2014-077624
出願日： 2013年08月20日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：
【課題】比較的低温で結晶化するため、数十時間の長時間を費やしても、結晶粒径の大きさに限界があった。とりわけ、安価なガラス基材上の半導体層を損傷および変形無く結晶化を実現するためには高温度での熱処理が難しく、結晶粒径を大きくすることが非常に困難であった。【解決手段】基材を装置内部で相対的に低温度帯に保持することが可能な第1の温度機構と、高温度帯に保持することが可能な第2の温度機構と、中温度帯に保持することが可能な第3の温度機構からなる、少なくとも3種の温度帯に保持する機構をこの順に連続して備え、且つ、3種の熱源と基材を相対的に移動する移動機構を備えること。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材を加熱するヒーターを前記基材の裏面側に備え、かつ前記基材の表面側に冷媒を用いて前記基材の表面を冷却する第1の温度機構と、 大気圧プラズマ、レーザー、フラッシュランプの何れかを用いて前記基材の表面側を加熱する第2の温度機構と、 前記基材の表面側より前記基材を加熱するヒーターを備える第3の温度機構と、 をこの順序で連続して備え、第1〜第3の温度機構を相対的に移動する移動機構を有する、熱処理装置。
IPC (5件)：
F27B 9/36 ,  C01B 33/02 ,  F27D 11/02 ,  F27D 11/08 ,  H05B 3/68
FI (5件)：
F27B9/36 ,  C01B33/02 E ,  F27D11/02 C ,  F27D11/08 Z ,  H05B3/68
Fターム (34件)：
3K092PP20 ,  3K092RF03 ,  3K092RF17 ,  3K092RF22 ,  3K092VV40 ,  4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072BB12 ,  4G072FF01 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072NN01 ,  4G072RR25 ,  4G072UU02 ,  4K050AA02 ,  4K050BA16 ,  4K050CD06 ,  4K050CD08 ,  4K050CD30 ,  4K050CG05 ,  4K050EA02 ,  4K050EA05 ,  4K063AA05 ,  4K063BA12 ,  4K063FA13 ,  4K063FA51 ,  5F151AA03 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151BA11 ,  5F151CB24 ,  5F151CB25 ,  5F151GA03
引用特許：
審査官引用 (8件)
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