特許
J-GLOBAL ID：200903005449177468

熱処理装置及び熱処理方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-162143
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051505
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 短時間の熱処理で半導体に添加した不純物元素の活性化や、ゲッタリング処理をする方法と、そのような熱処理を可能とする熱処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 加熱処理を行うn個(n>2)の処理室と予備加熱室と冷却室とを備え、n個の加熱手段により加熱されたガスを熱源として基板を加熱する熱処理装置であって、ガス供給手段が冷却室のガス導入口に接続し、冷却室の排出口が熱交換器を介して第1のガス加熱手段に接続し、第m(1≦m≦(n-1))の処理室の導入口が第mのガス加熱手段の排出口と接続し、第nの処理室の導入口が第nのガス加熱手段の排出口と接続し、第nの処理室の排出口が熱交換器に接続し、熱交換器の排出口が予備加熱室のガス導入口と接続している熱処理装置である。
請求項（抜粋）：
加熱処理を行うn個(n>2)の処理室と、予備加熱室と、冷却室を備え、各処理室に対応して設けられた加熱手段により加熱されたガスを熱源として基板を加熱する熱処理装置であって、ガス供給手段が前記冷却室のガス導入口に接続し、前記冷却室の排出口が熱交換器を介して第1のガス加熱手段に接続し、第m(1≦m≦(n-1))の処理室の導入口が第mのガス加熱手段の排出口と接続し、第nの処理室の導入口が第nのガス加熱手段の排出口と接続し、前記第nの処理室の排出口が熱交換器に接続し、前記熱交換器の排出口が予備加熱室のガス導入口と接続していることを特徴とする熱処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/324 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/322
FI (6件)：
H01L 21/324 J ,  H01L 21/324 W ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 602 Z ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/322 G
Fターム (29件)：
5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF03 ,  5F045DP03 ,  5F045EB08 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EG09 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BA02 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04
引用特許：
出願人引用 (14件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301081   出願人：株式会社エフティーエル
  • 半導体基板の熱処理方法及び装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006355   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置及びこれの製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-033521   出願人：三菱電機株式会社
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審査官引用 (14件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301081   出願人：株式会社エフティーエル
  • 半導体基板の熱処理方法及び装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006355   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置及びこれの製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-033521   出願人：三菱電機株式会社
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