特許
J-GLOBAL ID：201403043296797290

スピントロニクスデバイス

発明者：
安藤 和也

安藤 和也 について

, 
齊藤 英治

齊藤 英治 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (2件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-231849
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086448
出願日： 2012年10月19日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：
【課題】 スピントロニクスデバイスに関し、スピン流-電子相互変換部材の有するスピン流-電流変換係数αHで規定されていたスピン流-電流変換効率をαH以上にする。【解決手段】 スピン流発生部材層に接合するスピン流-電子相互変換部材層として、スピン流の流入方向の電気伝導度が他の方向の電気伝導度より高い導電性部材を用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エネルギーの供給により純スピン流或いはスピン波スピン流を発生するスピン流発生部材層と、 前記スピン流発生部材層に接合し、スピン流を電流に変換する或いは電流をスピン流に変換するスピン流-電流相互変換部材層と、 前記スピン流-電流相互変換部材層に設けられ、前記電流の流れる方向の上流側と下流側に設けられた一対の電極と を有し、 前記スピン流-電流相互変換部材層が、スピン流の流入方向の電気伝導度が他の方向の電気伝導度より高い異方導電性を有するスピントロニクスデバイス。
IPC (5件)：
H01L 29/82 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (6件)：
H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250G ,  H01L29/28 220B ,  H01L29/28 220D
Fターム (21件)：
4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD42 ,  4M119EE01 ,  4M119KK06 ,  5F092AB06 ,  5F092AB10 ,  5F092AC12 ,  5F092AC21 ,  5F092AC26 ,  5F092AD25 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BD03 ,  5F092BD06 ,  5F092BD07 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD16
引用特許：
審査官引用 (2件)

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