特許

J-GLOBAL ID：200903037033491448

スピントロニクスデバイス及び情報伝達方法

発明者： 梶原 瑛祐 ,  内田 健一 ,  安藤 和也 ,  齊藤 英治
出願人/特許権者： 学校法人慶應義塾
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-148556
公開番号（公開出願番号）：特開2009-295824
出願日： 2008年06月05日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：

【課題】 スピントロニクスデバイス及び情報伝達方法に関し、スピン波スピン流による長距離輸送を可能にする具体的手段を提供する。【解決手段】 磁性誘電体層と、前記磁性誘電体層上に設けられたPt、Au、Pd、Ag、Bi、またはそれらの合金、或いは、f軌道を有する元素等のスピン軌道相互作用の大きな元素からなる少なくとも一つの金属電極とを備え、前記磁性誘電体層と前記金属電極との界面でスピン波スピン流-純スピン流の交換を行う。【選択図】 図12

請求項（抜粋）：

磁性誘電体層と、前記磁性誘電体層上に設けられたPt、Au、Pd、Ag、Bi、またはそれらの合金、或いは、f軌道を有する元素のいずれかからなる少なくとも一つの金属電極とを備え、前記磁性誘電体層と前記金属電極との界面でスピン波スピン流-純スピン流の交換を行うスピントロニクスデバイス。

IPC (1件)：

H01L 29/82

FI (1件)：

H01L29/82 Z

Fターム (7件)：

5F092AC26 ,  5F092BD05 ,  5F092BD06 ,  5F092BD13 ,  5F092BE03 ,  5F092CA04 ,  5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 記憶機能を有する3層構造磁気スピン極性化装置と当該装置を使用した記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-375089   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
• 磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-181979   出願人：株式会社日立製作所, 国立大学法人東北大学
• 演算素子およびその製造方法、ならびに演算装置および演算方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-259028   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• スピン波励振・検出装置、前記装置を用いた高周波信号処理装置及びカーボンナノチューブの構造評価装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-421425   出願人：財団法人新産業創造研究機構
• 光-マイクロ波変調素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-380146   出願人：三洋電機株式会社
• 磁気記録ヘッド及び磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-099385   出願人：株式会社東芝
• 発振デバイス、通信装置、及び磁性素子による発振方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-124893   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Electric Manipulation of Spin Relaxation Using the Spin Hall Effect