特許
J-GLOBAL ID：201403043961259254
表面増強赤外吸収センサーの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 利夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-144529
公開番号（公開出願番号）：特開2012-233903
特許番号：特許第5476574号
出願日： 2012年06月27日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 以下のステップ(ア)から(ウ)を設けた、複数の金属ナノ薄膜の基板上における2次元充填率が0.7以上1未満である、表面増強赤外吸収センサーの製造方法。
(ア)溶液中に分散した金属ナノ粒子を誘電体基板表面に吸着させる。
(イ)前記吸着した金属ナノ粒子を溶液中で成長させることにより、前記誘電体基板表面に、扁平且つ互いに分断され島状に配置された複数の金属ナノ薄膜を製膜する。
(ウ)前記ステップ(イ)を行っている間、前記基板の金属ナノ薄膜が配置されている側とは反対側の面から赤外光を照射し、前記基板から染み出したエバネッセント波を用いて前記複数の金属ナノ薄膜の赤外吸収シグナルをその場モニターして吸収スペクトルの変化を評価することにより、前記複数の金属薄膜が十分に扁平に成長して、しかも前記金属ナノ薄膜同士が繋がり始め系全体が導電性を発現する直前に前記成長を停止する。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G01N 21/41 101
, G01N 21/41 102
