特許
J-GLOBAL ID：201403045591821562
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-165300
公開番号（公開出願番号）：特開2012-248868
特許番号：特許第5612032号
出願日： 2012年07月26日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極と、
前記ゲート電極の上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上方の第1の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層の上方の第2の酸化物半導体層と、を有し、
前記第1の酸化物半導体層は、インジウムと、亜鉛とを含み、
前記第2の酸化物半導体層は、インジウムと、亜鉛とを含み、
前記第2の酸化物半導体層は、結晶領域を含み、
前記結晶領域は、該結晶領域の表面と略垂直な方向にc軸が配向した結晶を有し、
前記第2の酸化物半導体層は、前記第1の酸化物半導体層より電気伝導度が大きい領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 618 E
