特許
J-GLOBAL ID：201403046034822790
半導体装置製造用フィルム、半導体装置製造用フィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-198589
公開番号（公開出願番号）：特開2014-040594
特許番号：特許第5612747号
出願日： 2013年09月25日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置製造用フィルムの製造方法であって、
前記半導体装置製造用フィルムは、
(a)ダイシングテープ上に接着剤層が積層された接着剤層付きダイシングテープが、前記接着剤層を貼り合わせ面にして、所定の間隔をおいてセパレータに積層されており、
(b)前記セパレータは、前記ダイシングテープの外周に沿った切れ込みがあり、
(c)前記切れ込みの深さが前記セパレータの厚さの2/3以下であり、
(d)前記接着剤層は、着色剤が添加されており、フリップチップ実装の半導体装置が有する半導体チップの裏面に貼着されるものであり、
前記半導体装置製造用フィルムの製造方法は、
着色剤が添加された接着剤層がダイシングテープ上に積層された接着剤層付きダイシングテープが、前記接着剤層を貼り合わせ面にしてセパレータに積層されたセパレータ付フィルムを準備する工程と、
貼り着ける対象の半導体ウエハに対応する大きさに、前記セパレータ付フィルムを切断する工程とを具備しており、
前記切断は、前記ダイシングテープ側から前記セパレータの厚さの2/3以下の深さまで行うことを特徴とする半導体装置製造用フィルムの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
H01L 21/78 M
, H01L 21/60 311 Z
