特許
J-GLOBAL ID:201403046352832060

四面体炭素層および軟質外層を備える層状構造によって被覆された基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  中村 綾子 ,  森本 聡二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-234012
公開番号(公開出願番号):特開2014-088024
出願日: 2013年11月12日
公開日(公表日): 2014年05月15日
要約:
【課題】四面体炭素層及び軟質外層を備える層状構造によって少なくとも部分的に被覆された金属基板を提供する。【解決手段】層状構造は、金属基板11に堆積された中間層14と、中間層に堆積された非晶質炭素層16と、を備える。非晶質炭素層16は、200GPaよりも低いヤング率を有し、非晶質水素化炭素層又はダイヤモンド状ナノコンポジット(DLN)層から構成され、厚みが0.5〜3μmである。中間層14は、200〜800GPaのヤング率であり、硬度は20〜80GPaであり、四面体炭素のsp3結合が50〜90%であり、少なくとも一種の金属でドープされている四面体炭素層から構成される。【効果】前記四面体炭素皮膜に被覆された金属基板は、被接触体の磨耗を低減させる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
層状構造によって少なくとも部分的に被覆された金属基板であって、前記層状構造が、前記基板に堆積された中間層と、前記中間層に堆積された非晶質炭素層とを備え、前記非晶質炭素層が200GPaよりも低いヤング率を有し、前記中間層が200GPaよりも高いヤング率を有する四面体炭素層から構成されることを特徴とする金属基板。
IPC (2件):
B32B 9/04 ,  B32B 15/04
FI (2件):
B32B9/04 ,  B32B15/04 Z
Fターム (42件):
4F100AA12B ,  4F100AA15B ,  4F100AA17B ,  4F100AA20C ,  4F100AA37C ,  4F100AB01A ,  4F100AB01C ,  4F100AB03A ,  4F100AB10A ,  4F100AB11B ,  4F100AB11C ,  4F100AB11D ,  4F100AB12B ,  4F100AB13B ,  4F100AB31A ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA08 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EJ82C ,  4F100JA12C ,  4F100JK07B ,  4F100JK07C ,  4F100JK12 ,  4F100JK12C ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4K029AA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BA41 ,  4K029BA54 ,  4K029BA55 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BD04 ,  4K029CA01 ,  4K029CA03 ,  4K029DB20 ,  4K029DD06
引用特許:
審査官引用 (6件)
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