特許
J-GLOBAL ID：201403046408336703

成膜方法、成膜装置および電子デバイス

発明者：
吉田 武史

吉田 武史 について


出願人/特許権者：
株式会社昭和真空

株式会社昭和真空 について


代理人 (1件)： アイアット国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-096394
公開番号（公開出願番号）：特開2014-218684
出願日： 2013年05月01日
公開日（公表日）： 2014年11月20日
要約：
【課題】金属の表面に、遮断機能を向上させたバリア層を成膜する。【解決手段】水と反応して第1の酸化膜を形成する第1の原料ガスと水とを用い、原子層堆積によって金属の表面に第1のバリア層を成膜し、酸素プラズマと反応して第2の酸化膜を形成する第2の原料ガスと酸素とを用い、プラズマ原子層堆積によって第1のバリア層の表面に第2のバリア層を成膜する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
金属の表面にバリア層を形成する成膜方法において、 水と反応して第1の酸化膜を形成する第1の原料ガスと水とを用い、原子層堆積によって前記金属の表面に第1のバリア層を成膜する第1の工程と、 酸素プラズマと反応して第2の酸化膜を形成する第2の原料ガスと酸素とを用い、プラズマ原子層堆積によって前記第1のバリア層の表面に第2のバリア層を成膜する第2の工程と、 を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 16/455 ,  H01L 33/60 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50
FI (4件)：
C23C16/455 ,  H01L33/00 432 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50
Fターム (28件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA43 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA14 ,  5F142AA64 ,  5F142AA73 ,  5F142AA74 ,  5F142BA02 ,  5F142BA32 ,  5F142CA02 ,  5F142CD02 ,  5F142CE06 ,  5F142CE08 ,  5F142CE13 ,  5F142CG01 ,  5F142DA12 ,  5F142FA50
引用特許：
審査官引用 (4件)
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