特許
J-GLOBAL ID：201103079404146369

半導体装置の製造方法及び基板処理システム

発明者：
小川 有人

小川 有人 について

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堀井 貞義

堀井 貞義 について

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佐藤 武敏

佐藤 武敏 について

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板谷 秀治

板谷 秀治 について

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三瀬 信行

三瀬 信行 について

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外村 修

外村 修 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-157235
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014704
出願日： 2009年07月01日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：
【課題】 高誘電率絶縁膜を形成する際の下地である金属膜の酸化を抑制する。【解決手段】 基板を収容した処理室内にアルミニウム原料を供給し排気する工程と、処理室内に酸化源または窒化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、基板表面に形成された電極膜上にアルミニウムを含む絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に酸化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、アルミニウムを含む絶縁膜上に、アルミニウムを含む絶縁膜とは異なる高誘電率絶縁膜を形成する工程と、高誘電率絶縁膜が形成された基板に対して熱処理を行う工程と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を収容した処理室内にアルミニウム原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に酸化源または窒化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、基板表面に形成された電極膜上にアルミニウムを含む絶縁膜を形成する工程と、 前記処理室内に原料を供給し排気する工程と、前記処理室内に酸化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、前記アルミニウムを含む絶縁膜上に、前記アルミニウムを含む絶縁膜とは異なる高誘電率絶縁膜を形成する工程と、 前記高誘電率絶縁膜が形成された前記基板に対して熱処理を行う工程と、 を有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/40
FI (7件)：
H01L21/316 P ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 M ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 M ,  H01L21/31 B ,  C23C16/40
Fターム (58件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030KA02 ,  4K030KA22 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF10 ,  5F045BB05 ,  5F045BB16 ,  5F045DC51 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF05 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC09 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD12 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG10 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04
引用特許：
審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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