特許
J-GLOBAL ID：201403050649991300

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
斎藤 雄

斎藤 雄 について

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増田 健良

増田 健良 について

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林 秀樹

林 秀樹 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-200180
公開番号（公開出願番号）：特開2014-056914
出願日： 2012年09月12日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】低いしきい電圧と大きな耐圧と高い信頼性とを得る。【解決手段】炭化珪素基板100に側壁SWおよび底部BTを有するトレンチTRが形成される。底部BTおよび側壁SWを覆うトレンチ絶縁膜201Aが形成される。トレンチ絶縁膜201Aを介してトレンチを埋めるシリコン膜201Sが形成される。シリコン膜201Sのうちトレンチ絶縁膜201Aを介して底部BT上に位置する部分が残存するように、シリコン膜201Sがエッチングされる。トレンチ絶縁膜201Aが側壁SW上において除去される。シリコン膜201Sを酸化することによって底絶縁膜が形成される。側壁SW上において側壁絶縁膜が形成される。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
第1の導電型を有する第1の層と、前記第1の層上に設けられ第2の導電型を有する第2の層と、前記第2の層上に設けられ前記第2の層によって前記第1の層と分離され前記第1の導電型を有する第3の層とを含む炭化珪素基板を準備する工程と、 前記炭化珪素基板に、前記第3の層および前記第2の層を貫通して前記第1の層に至る側壁と、前記第1の層からなる底部とを有するトレンチを形成する工程と、 前記底部および前記側壁の各々を覆うトレンチ絶縁膜を形成する工程と、 前記トレンチ絶縁膜を介して前記トレンチを埋めるシリコン膜を形成する工程と、 前記トレンチ絶縁膜のうち前記側壁上において前記第2の層を覆う部分が露出されるように、かつ、前記シリコン膜のうち前記トレンチ絶縁膜を介して前記底部上に位置する部分が残存するように、前記シリコン膜を部分的にエッチングする工程と、 前記シリコン膜を部分的にエッチングする工程の後に、前記トレンチ絶縁膜のうち前記側壁上において前記第2の層を覆う部分を除去することによって、前記側壁上において前記第2の層を露出する工程と、 前記第2の層を露出する工程の後に、前記シリコン膜を酸化することによって底絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の層を露出する工程の後に、前記側壁上において前記第2の層を覆う側壁絶縁膜を形成する工程と、 前記側壁絶縁膜を介して前記側壁上にゲート電極を形成する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316
FI (7件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658G ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/316 S
Fターム (23件)：
5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB26 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA06 ,  5F004EA10 ,  5F004EA34 ,  5F004EB04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF55 ,  5F058BF61 ,  5F058BJ06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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