特許
J-GLOBAL ID：201403052077824710

プラズマ露出面上にinsituで形成された保護層を備えるプラズマ処理チャンバのコンポーネント

発明者：
ハーミート・シン

ハーミート・シン について

, 
トルステン・リル

トルステン・リル について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (2件)： 特許業務法人明成国際特許事務所 ,  五十嵐 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-095127
公開番号（公開出願番号）：特開2014-220502
出願日： 2014年05月02日
公開日（公表日）： 2014年11月20日
要約：
【課題】プラズマ処理チャンバのコンポーネントの、プラズマ露出面の保護方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理チャンバのコンポーネントであって、コンポーネントのプラズマ露出面上に液体保護層を備える。液体保護層は、液体チャネルに液体を供給し、コンポーネントの液体供給路を通して液体を送出することによって、補給可能である。コンポーネントは、プラズマを発生させ、発生させたプラズマを用いて半導体基板120の処理を行うプラズマ処理装置内で、基板支持部118に支持された半導体基板を囲むエッジリングアセンブリ200でもよい。あるいは、液体保護層を十分に硬化又は冷却することにより、固体保護層を形成するようにしてもよい。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
プラズマを発生させ、発生させたプラズマを用いて半導体基板を処理するプラズマ処理チャンバのコンポーネントであって、 少なくとも1つのプラズマ露出面と、 前記プラズマ露出面にプラズマ適合性液体を供給することによって、前記プラズマ露出面上に液体保護層を形成する手段と、を備えるコンポーネント。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  C23C 14/00
FI (5件)：
H01L21/302 101G ,  H01L21/31 C ,  C23C16/50 ,  C23C16/44 J ,  C23C14/00 B
Fターム (33件)：
4K029DA09 ,  4K029DA10 ,  4K029FA09 ,  4K029JA01 ,  4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB32 ,  5F004BC08 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC05 ,  5F045EF02 ,  5F045EF05 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH13 ,  5F045EM02 ,  5F045EM05 ,  5F045EM09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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