特許
J-GLOBAL ID：201403052922931122
ナノワイヤの作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-273155
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120548
出願日： 2012年12月14日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：
【課題】より安価に、より簡便な工程で、半導体のナノワイヤが形成できるようにする。【解決手段】ステップS101で、鉄からなり加熱した基体101の上に炭素化合物のガスを供給して基体101の上に炭素層102を形成する(炭素層形成工程)。例えば、基体101を600°C程度に加熱し、この状態で、基体101の表面にメタン,アセチレン,およびメタノールなどの炭素化合物のガスを供給することで、炭素層102が形成できる。次に、ステップS102で、炭素層102の上に有機金属気相成長法により半導体のナノワイヤ103を形成する(ナノワイヤ形成工程)。例えば、Au,Al,Inなどの金属微粒子(不図示)を触媒とした有機金属気相成長法によりナノワイヤ103が形成できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
鉄からなり加熱した基体の上に炭素化合物のガスを供給して前記基体の表面に炭素層を形成する炭素層形成工程と、
前記炭素層の表面に有機金属気相成長法により半導体のナノワイヤを形成するナノワイヤ形成工程と
を少なくとも備えることを特徴とするナノワイヤの作製方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
4K030AA09
, 4K030AA10
, 4K030CA02
, 4K030CA13
, 4K030CA17
, 4K030FA10
, 5F045AA04
, 5F045AB12
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AC19
, 5F045AD07
, 5F045AE25
, 5F045DA53
