特許
J-GLOBAL ID：201103046021163183

ナノ構造体およびその製造方法

発明者：
舘野 功太

舘野 功太 について

, 
章 国強

章 国強 について

, 
後藤 秀樹

後藤 秀樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  黒川 弘朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-098644
公開番号（公開出願番号）：特開2011-224749
出願日： 2010年04月22日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：
【課題】コア・シェル型の半導体ナノワイヤが積層されて高効率のデバイスを製造することのできるナノ構造体およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板の上にこの基板と垂直にコア・シェル型の半導体ナノワイヤを形成し、この半導体ナノワイヤを絶縁体で覆うと共に、この絶縁体をエッチングにより除去して半導体ナノワイヤの上部を露出させたナノ構造体を製造する。このナノ構造体を用いれば、半導体ナノワイヤの露出した上部にトンネル接合部を形成し、このトンネル接合部に新たな半導体ナノワイヤを積層することによりショートすることを抑制した高効率のデバイスを製造することができる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上にこの基板と垂直に形成された半導体ナノワイヤと、 この半導体ナノワイヤの一部を覆う絶縁体と を備え、 前記半導体ナノワイヤの頭頂部は、前記絶縁体に覆われていない ことを特徴とするナノ構造体。
IPC (4件)：
B82B 3/00 ,  H01L 31/04 ,  B82B 1/00 ,  H01L 33/02
FI (4件)：
B82B3/00 ,  H01L31/04 E ,  B82B1/00 ,  H01L33/00 100
Fターム (12件)：
5F041AA21 ,  5F041CA21 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F151AA08 ,  5F151CB08 ,  5F151DA04 ,  5F151DA19 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (4件)
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