特許
J-GLOBAL ID：201103008577236067

グラフェン膜の製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
池田 稔

池田 稔 について

, 
山崎 隆浩

山崎 隆浩 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-071637
公開番号（公開出願番号）：特開2011-201735
出願日： 2010年03月26日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】成膜時間を短縮し得るグラフェン膜の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板10上に炭素を含有する触媒金属層14を形成する工程と、炭素含有ガスを用いて触媒金属層上にグラフェン膜16を成長する工程とを有している。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に炭素を含有する触媒金属層を形成する工程と、 炭素含有ガスを用いて前記触媒金属層上にグラフェン膜を成長する工程と を有することを特徴とするグラフェン膜の製造方法。
IPC (6件)：
C01B 31/02 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
C01B31/02 101Z ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 310E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
Fターム (34件)：
4G146AA02 ,  4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146AC03 ,  4G146AD30 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32 ,  4G146BC33 ,  4G146BC41 ,  4G146BC44 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG39 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110PP34
引用特許：
審査官引用 (12件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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