特許
J-GLOBAL ID：201403057092257778
高耐圧半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-135706
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199587
特許番号：特許第5619079号
出願日： 2012年06月15日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1および第2主面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主面に形成され、前記第1主面において前記半導体基板に取り囲まれた第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1主面に形成され、前記半導体基板との間で前記第1半導体領域を挟む第1導電型の第2半導体領域と、
前記半導体基板の前記第1主面における端面に隣接して交互に並んで配設され、前記第1主面から前記第2主面に向かって前記半導体基板を貫通しない深さでそれぞれ形成された第1導電型の第3半導体領域および第2導電型の第4半導体領域と、
前記半導体基板の前記第1主面における端面に隣接し、前記第1主面から前記第2主面に向かって形成され、前記第3半導体領域と前記第4半導体領域とを分離するトレンチ領域と、
前記半導体基板と前記第2半導体領域とに挟まれる前記第1半導体領域に層間絶縁膜を介在して対向するように形成された制御電極と、
前記第1半導体領域および前記第2半導体領域の双方に接触して形成された第1主電極と、
前記第3半導体領域と前記第4半導体領域とに電気的に接続されて形成された第2主電極と、
を備える、高耐圧半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/739 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 N
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 657 D
, H01L 29/78 658 H
, H01L 29/91 D
, H01L 29/91 E
, H01L 29/91 J
, H01L 29/06 301 F
, H01L 29/06 301 G
, H01L 29/06 301 V
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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