トレンチ構造半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360622
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165635
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

要約【課題】破壊し難いIGBTを容易に形成することが困難であった。【解決手段】半導体基板1は内側トレンチ2aと外側トレンチ2bとを有する。各トレンチ2a,2bに隣接してエミッタ領域3を設ける。エミッタ領域3及び各トレンチ2a,2bに隣接させてP型ベース領域4を設ける。内側トレンチ2aに隣接させて第1のN型ベース領域31を設ける。第1のN型ベース領域31よりも不純物濃度の低い第2のN型ベース領域32を外側トレンチ2bと第1のN型ベース領域31とに隣接して設ける。過電圧が印加された時に内側トレンチ2aの近傍にブレークダウンが生じ、電流の集中が緩和される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

互いに対向している一方及び他方の主面と、前記一方の主面の内側部分において前記一方の主面から前記他方の主面に向かって延びている内側トレンチと、前記一方の主面の前記内側部分よりも外側の部分において前記一方の主面から前記他方の主面に向かって延びている外側トレンチとを有している半導体基板と、前記半導体基板の中に形成され且つ前記内側トレンチに隣接配置され且つ前記半導体基板の前記一方の主面に露出している表面を有し且つ第1の導電型を有している第1の半導体領域と、前記半導体基板の中に形成され且つ前記第1の半導体領域に隣接し且つ前記第1の半導体領域よりも深い位置で前記内側及び外側トレンチに隣接し且つ前記半導体基板の前記一方の主面に露出する表面を有し且つ第2の導電型を有している第2の半導体領域と、前記半導体基板の中に形成され且つ前記第2の半導体領域と前記内側トレンチとの両方に隣接し且つ前記半導体基板の前記一方の主面を基準にして前記内側トレンチよりも深く形成され且つ第1の導電型を有している第3の半導体領域と、前記半導体基板の中に形成され且つ前記2及び第3の半導体領域と前記外側トレンチとに隣接し且つ前記外側トレンチよりも外側において前記半導体基板の前記一方の主面に露出する表面を有し且つ第1の導電型を有し且つ前記第3の半導体領域よりも低い不純物濃度を有している第4の半導体領域と、前記内側及び外側トレンチの壁面に設けられた絶縁膜と、前記内側及び外側トレンチの中に配置され且つ前記絶縁膜を介して前記内側及び外側トレンチの壁面に対向しているトレンチ導電体と、前記第1の半導体領域に電気的に接続された第1の主電極と、前記第4の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して電気的に接続された第2の主電極と、前記トレンチ導電体に電気的に接続されたゲート電極とを備えていることを特徴とするトレンチ構造半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 655G , H01L29/78 653A , H01L29/78 655B , H01L29/78 652M , H01L29/78 658G

引用特許：

出願人引用 (9件)

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-285628 出願人：サンケン電気株式会社
特開平1-253966
特開昭58-165380

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