特許
J-GLOBAL ID：201403057231133850
半導体モジュール及び半導体モジュール製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小林 博通
, 鵜澤 英久
, 橋本 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-196744
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053440
出願日： 2012年09月07日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：
【課題】圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールを構成する各部材に偏った荷重がかかることを抑制する。【解決手段】スイッチング素子2、AC電極端子3、DC電極端子4、偏荷重抑制部材5を備える半導体モジュール1である。偏荷重抑制部材5は、DC電極端子4の溝部4aに嵌設される。AC電極端子3は、スイッチング素子2の上面に設けられ、DC電極端子4は、スイッチング素子2の下面に偏荷重抑制部材5を介して設けられる。AC電極端子3の上面に絶縁板6を介して冷却器7を設け、DC電極端子4の下面に絶縁板6を介して冷却器8を設ける。偏荷重抑制部材5は、冷却器7,8間をボルト9で締結して半導体モジュール1を圧接するときに塑性変形する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子と、前記半導体素子に形成された電極層と電気的に接続される電極端子と、を有し、前記半導体素子と前記電極端子が圧接により接続される半導体モジュールであって、
前記半導体素子と前記電極端子の間に圧接時の荷重により塑性変形する偏荷重抑制部材を設ける
ことを特徴とする半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L 21/52
, H01L 23/40
, H01L 23/04
, H01L 25/11
H01L21/52 K
, H01L23/40 E
, H01L23/04 B
, H01L25/14 A
5F047AA03
, 5F047AB01
, 5F047AB06
, 5F047BB05
, 5F136BB18
, 5F136BC05
, 5F136DA22
, 5F136DA41
, 5F136EA02
, 5F136FA02
, 5F136FA03
, 5F136FA12
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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